广州集成电路硅片激光钻孔微小孔加工

200元2022-11-20 07:54:24
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产地 北京 分类 硅片切割
切割加工最小缝隙 0.05mm 加工厚度范围 0.1--2mm
加工方式 激光切割 品牌 HE
微信号 13011886131 服务范围 全国
硅片大小加工范围 300mm 联系人 张经理

广州集成电路硅片激光钻孔微小孔加工

传统机械加工硅片的劣势:
传统硅片切割方式是机械切割,速度慢、断面平整性差、碎片多、不环保。硅是一种脆性材料,机械切割极易使边缘产生破裂,造成硅表面弹性应变区、位错网络区和碎晶区的组成层损伤,甚至可能造成隐形裂纹,影响电性参数等危害。激光切割技术具有无接触、无机械应力、切缝宽度小、断面平整光滑、精度高、速度快、性能稳定等优势;

激光加工的应用
激光加工技术应用广泛,且在很多行业都已经很成熟,比如航空航天、新能源锂电、光伏太阳能、显示与半导体、PCB行业、电子信息行业、机械五金行业、家电厨卫行业、钣金加工行业、包装行业,以及电子烟行业等领域,对于提高劳动生产率、提高产品质量、实现自动化生产、保护环境、减少材料资源消耗、降低生产成本等起着十分重要的作用。

激光隐形切割作为激光切割晶圆的一种方案,很好的避免了砂轮划片存在的问题。激光隐形切割是通过将脉冲激光的单个脉冲通过光学整形,让其透过材料表面在材料内部聚焦,在焦点区域能量密度较高,形成多光子吸收非线性吸收效应,使得材料改性形成裂纹。每一个激光脉冲等距作用,形成等距的损伤即可在材料内部形成一个改质层。在改质层位置材料的分子键被破坏,材料的连接变的脆弱而易于分开。切割完成后通过拉伸承载膜的方式,将产品充分分开,并使得芯片与芯片之间产生间隙。这样的加工方式避免了机械的直接接触和纯水的冲洗造成的破坏。目前激光隐形切割技术可应用于蓝宝石/玻璃/硅以及多种化合物半导体晶圆。

激光属于无接触式加工,不对晶圆产生机械应力的作用,对晶圆损伤较小。由于激光在聚焦上的优点,聚焦点可小到微米数量级,从而对晶圆的微处理更具有优越性,可以进行小部件的加工;即使在不高的脉冲能量水平下,也能得到较高的能量密度,有效地进行材料加工。大多数材料吸收激光直接将硅材料气化,形成沟道。从而实现切割的目的因为光斑点较小,最低限度的炭化影响。

随着硅半导体集成电路的广泛应用,硅半导体集成电路都要用到晶圆,传统的晶圆切割方法,都是手工采用金刚石刀进行切割,在晶圆上划分出若干个圆环,在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。或者采用的是非均匀圆环、同一圆心角内进行切割的切割方法,这种晶圆切割方法的耗材大,经常要更换刀具,切割出来的晶圆芯片相距的宽度比较大,不均匀,所能切割的材料单一,适用性差,效率低下。
因此晶圆激光切割的方法工作效率高、能精确地调整待切割晶圆的各个方向的位置、精度高、全自动运行,对晶圆切割的位置进行准确定位,切割出来的晶圆芯片均匀、美观,能切割多种材料,适应性强,可以避免薄晶圆因切割破裂

激光切割技术集光学、精密机械、电子技术和计算机技术于一体,于传统方法相比
1、加工速度快;2、窄切槽(20um-30um),晶圆利用率高;3、非接触式加工,适合薄基圆;4、自动化程度高,任意图形切割。目前激光切割技术可以应用于切割硅片、低k材料、发光二极管衬底、微机电系统和薄膜太阳能电池等光电及半导体材料。

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